1.   是用N溝道還是P溝道 。選擇好MOS管器件的**步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構(gòu) 成了低壓側(cè)開關。在低壓側(cè)開關中，應采用N溝道MOS管，這是出于對關閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當MOS管連接到總線及負載接地時，就要用高壓側(cè)開 關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOS管，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。

       確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的*大電壓。額定電壓越大，器件 的成本就越高。根據(jù)實踐經(jīng)驗，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOS管不會失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏極至源 極間可能承受的*大電壓，即*大VDS。知道MOS管能承受的*大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。我們須在整個工作溫度范圍內(nèi)測試電壓的變化范圍。額定 電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍，確保電路不會失效。需要考慮的其他**因素包括由開關電子設備（如電機或變壓器）誘發(fā)的電壓瞬變。不同應用的額定 電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。      
       2.  確定MOS管的額定電流。該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的*大電流。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生 尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導通模式下，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電 流）流過器件。一旦確定了這些條件下的*大電流，只需直接選擇能承受這個*大電流的器件便可。

       選好額定電流后，還必須計算導通損耗。在實際情況 下，MOS管并不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOS管在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確 定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOS管施 加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越小；反之RDS（ON）就會越高。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。關于RDS（ON）電阻的各種電 氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術資料表中查到。

        3.　選擇MOS管的下一步是系統(tǒng)的散熱要求。須考慮兩種不同的情況，即*壞情況和真實情況。建議采用針對*壞情況的計算結(jié)果，因為這個結(jié)果提供更大的**余量，能確保系統(tǒng)不會失效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù)；

       器件的結(jié)溫等于*大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結(jié)溫=*大環(huán)境溫度+［熱阻×功率耗散］）。根據(jù)這個式子可解出系統(tǒng)的*大功率耗散，即按定義相等于I2×RDS（ON）。我們已將要通過器件的*大電流，可以計算出不同溫度下的RDS（ON）。另外，還要做好電路板 及其MOS管的散熱。

       雪崩擊穿是指半導體器件上的反向電壓超過*大值，并形成強電場使器件內(nèi)電流增加。晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力，*終提高器件的穩(wěn)健性。因此選擇更大的封裝件可以有效防止雪崩。