mos管即在集成電路中絕緣性場效應管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate，電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。其中一個稱為source，另一個稱為drain。假設source 和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。由電子組成的電流從source通過channel流到drain。總的來說，只有在gate對source電壓V超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流。除了以上產品外，公司同時還供應有三端穩壓芯片、降壓芯片等產品，我們公司具備有*實戰的技術,專業的運營團隊,為您創造以用戶體驗為前提的服務，服務的至善至美是我們永無止境的追求。因為以民為本，所以值得信賴；因為專業專職，所以值得選擇.以上信息僅供參考，詳情請致電相關工作人員為您解答。
