MOS管與三極管的各自應用特點

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱MOS管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓操控型半導體器件。具有傳入電阻高（10^7~10^12Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、**工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
　　MOS管與三極管的各自應用特點
　　1.MOS管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。
　　2.MOS管是電壓操控電流器件，由vGS操控iD,其擴大系數gm一般較小，因此MOS管的擴大能力較差；三極管是電流操控電流器件，由iB（或iE）操控iC.
　　MOS管
　　3.MOS管柵極幾乎不取電流（ig ?0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此MOS管的柵極傳入電阻比三極管的傳入電阻高。
　　4.MOS管是由多子參與導電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而MOS管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用MOS管。
　　5.MOS管在源極金屬與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大；而三極管的集電極與發射極互換使用時，其特性差異很大，β值將減小很多。
　　6.MOS管的噪聲系數很小，在低噪聲擴大電路的傳入級及要求信噪比較高的電路中要選用MOS管。
　　7.MOS管和三極管均可組成各種擴大電路和開關電路，但由于前者制造工藝簡單，且具有耗電少，熱穩定性好，工作電源電壓范圍寬等優點，因而被廣泛用于大規模和超大規模集成電路中。
　　8.三極管導通電阻大，MOS管導通電阻小，只有幾百毫歐姆，在現用電器件上，一般都用MOS管做開關來用，他的效率是比較高的。

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